MF138800 - SEMI MF1388 - Test Method for Generation Lifetime and Generation Velocity of Silicon Material by Capacitance-Time Measurements of Metal-Oxide-Silicon (MOS) Capacitors StdVol-Gases TSVにとって重要な計測に関する問題の理解と議論を行うための一貫した用語を規定することである。

TSVにとって重要な計測に関する問題の理解と議論を行うための一貫した用語を規定することである。

SEMI E87-0706E2 (editorial revision)

SEMI E160-0211 (first published)

1 nm or 632

SEMI E30 — Specification for the Generic Model for Communications and Control of Manufacturing Equipment (GEM)

MF138800 - SEMI MF1388 - Test Method for Generation Lifetime and Generation Velocity of Silicon Material by Capacitance-Time Measurements of Metal-Oxide-Silicon (MOS) Capacitors StdVol-Gases TSVにとって重要な計測に関する問題の理解と議論を行うための一貫した用語を規定することである。This Test Method covers the measurement of generation lifetime and generation velocity of silicon wafers. The measurement requires the fabrication of a guard ring MOS capacitor (refer to Figure 1). This Test Method is therefore destructive to the silicon wafer. This test may also be applied to semiconductor materials other than silicon and to insulators other than silicon dioxide, but the details of capacitor fabrication and the analyses and