E18000 - SEMI E180 - Test Method for Measuring Surface Metal Contamination Through ICP-MS of Critical Chamber Components Used in Semiconductor Wafer Processing StdPbc-0225 MSの偏り，サイズ，およびすべての変動性のソースを正確に特定することにより，そのMSが意図した機能を実行する能力があるかどうかを決定できる。さらに，よく設計されたMSAを使用して最も改善が必要な領域を特定し，定量化できる。

MSの偏り，サイズ，およびすべての変動性のソースを正確に特定することにより，そのMSが意図した機能を実行する能力があるかどうかを決定できる。さらに，よく設計されたMSAを使用して最も改善が必要な領域を特定し，定量化できる。

本ガイドは以下について記述する。

The purpose of this Specification is to provide the semiconductor industry with support in the identification and elimination of product time waste in the product life cycle within the factory

It does not define the messaging protocol

SEMI E87-0706 (technical revision)

E18000 - SEMI E180 - Test Method for Measuring Surface Metal Contamination Through ICP-MS of Critical Chamber Components Used in Semiconductor Wafer Processing StdPbc-0225 MSの偏り，サイズ，およびすべての変動性のソースを正確に特定することにより，そのMSが意図した機能を実行する能力があるかどうかを決定できる。さらに，よく設計されたMSAを使用して最も改善が必要な領域を特定し，定量化できる。This Document describes a method for a quantitative analysis for surface trace metal concentration of critical chamber components (CCCs) by using inductively coupled plasma mass spectrometry (ICP MS). This Standard is intended to promote communication between the users and the processing equipment suppliers. It can be also used to facilitate better communication regarding surface metal contamination expectation and its test method between the