G05900 - SEMI G59 - リードフレーム挿間紙上のイオン汚染物および挿間紙からリードフレームに移る汚染物の測定方法 Revision:SEMI G59-94 (Reapproved 0811) - Superseded SEMI PV29 — Specification for

SEMI PV29 — Specification for Front Surface Marking of PV Silicon Wafers with Two-Dimensional Matrix Symbols

This Test Method is especially applicable for silicon where boron is an unintentional p-type contaminant at trace levels (<5 × 1014 atoms/cm3)

1-0619E (editorial revision)

本スタンダードは，FPD偏光板および関連材料の防汚性と耐薬品性の評価方法を確立する。

technological process

G05900 - SEMI G59 - リードフレーム挿間紙上のイオン汚染物および挿間紙からリードフレームに移る汚染物の測定方法 Revision:SEMI G59-94 (Reapproved 0811) - Superseded SEMI PV29 — Specification forglobal Assembly & Packaging Technical Committee201171global Audits and Reviews Subcommittee20118www. semiviews. org www. semi. org199420023 : Referenced SEMI Standards None.