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この文書の目的は，半導体製造装置と施設での静電荷と電界によって引き起こされる生産性に対する悪影響を最小最小限にすることである。静電荷，電圧および電界に対し超静電気敏感性（EES）を有するレチクルとその他のアイテムのために取り扱い環境での最適な静電気両立性を確立するためのガイドである。このガイドはSEMI E78 およびSEMI E129 を補足して，静電気により最も損傷を受けやすいアイテムの保護方法を改善することを意図している。

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bias power)

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F02900 - SEMI F29 - ガスソースシステムパネルのパージ効果のテスト方法 StdTpc-Radio Frequency Identification (RFID) This definition provides a standardglobal Gases Committee2011513global Audits and Reviews Subcommittee20116www. semiviews. org www. semi. org20039200311 Referenced SEMI Standards None.