HB01100 - SEMI HB11 - Specification for Sapphire Single Crystal Ingot Intended for Use for Manufacturing HB-LED Wafers Revision:SEMI HB11-0121 - Current 本法は，異なったP/T（精度／許容）比を持つ測定装置購入の事前評価に役立つよう意図されている。また本法は，１つの測定装置において，P/T比が用いられるスループットモードあるいは他の装置のセットアップ要因によって変化する場合，異なったスループットモードでの操作比較を行うのに役立つよう意図されている。本法は，使用者が特定のプロセス能力と必要条件に基づく最適な費用解決策を選択する助けとなる。

本法は，異なったP/T（精度／許容）比を持つ測定装置購入の事前評価に役立つよう意図されている。また本法は，１つの測定装置において，P/T比が用いられるスループットモードあるいは他の装置のセットアップ要因によって変化する場合，異なったスループットモードでの操作比較を行うのに役立つよう意図されている。本法は，使用者が特定のプロセス能力と必要条件に基づく最適な費用解決策を選択する助けとなる。

it ranges from subpicogram to nanogram per square centimeter of silicon-wafer surface (pg/cm2 to ng/cm2)

This Standard was technically approved by the Photovoltaic – Automation Global Technical Committee

2  Units — This Test Method uses SI units

ウェーハIDリーダの機能スタンダードは，ウェーハIDリーダと上位のコントローラとの包括的インタフェースに対する機能要求条件を扱う。

HB01100 - SEMI HB11 - Specification for Sapphire Single Crystal Ingot Intended for Use for Manufacturing HB-LED Wafers Revision:SEMI HB11-0121 - Current 本法は，異なったP/T（精度／許容）比を持つ測定装置購入の事前評価に役立つよう意図されている。また本法は，１つの測定装置において，P/T比が用いられるスループットモードあるいは他の装置のセットアップ要因によって変化する場合，異なったスループットモードでの操作比較を行うのに役立つよう意図されている。本法は，使用者が特定のプロセス能力と必要条件に基づく最適な費用解決策を選択する助けとなる。The sapphire single crystal ingot is used as a substrate material for HB LED applications. To permit common processing equipment to be used in multiple device fabrication lines, it is essential for the sapphire single crystal ingot specifications to be standardized. This Specification provides the characteristics of sapphire single crystal ingot, consisting of the physical specification, orientation, shape, and defect standard. This Specification is