G08600 - SEMI G86 - Test Method for Measurement of Chip (Die) Strength by Mean of 3-Point Bending Revision:SEMI G86-0217 - Superseded 本仕様が意図しているものは，電子材料グレード単結晶シリコンインゴット成長のために用いられる多結晶シリコンの調達に使用することである。そのようなインゴットは，ウェーハに切断され，その後，半導体デバイス，集積回路，マイクロエレクトロメカニカルシステム（MEMS）を含む他のマイクロエレクトロニック部品の製造に使用される。

本仕様が意図しているものは，電子材料グレード単結晶シリコンインゴット成長のために用いられる多結晶シリコンの調達に使用することである。そのようなインゴットは，ウェーハに切断され，その後，半導体デバイス，集積回路，マイクロエレクトロメカニカルシステム（MEMS）を含む他のマイクロエレクトロニック部品の製造に使用される。

1  These methods shall be used in general to measure the resistance of resin BM with high resistance for FPD color filter

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G08600 - SEMI G86 - Test Method for Measurement of Chip (Die) Strength by Mean of 3-Point Bending Revision:SEMI G86-0217 - Superseded 本仕様が意図しているものは，電子材料グレード単結晶シリコンインゴット成長のために用いられる多結晶シリコンの調達に使用することである。そのようなインゴットは，ウェーハに切断され，その後，半導体デバイス，集積回路，マイクロエレクトロメカニカルシステム（MEMS）を含む他のマイクロエレクトロニック部品の製造に使用される。This Test Method defines a procedure for the evaluation of die strength by the mean of 3 point bending method. This Test Method applies only for 3 point bending method, and other methods will be defined by the separate documents. This Test Method is used to measure die strength for dies from processed wafers. Wafer thinning technology becomes popular to meet the demand for thin packages, so the die strength data is critical for the die quality and