P01400 - SEMI P14 - 黒鉛炉原子吸光分光法によるポジティブフォトレジスト中の錫の測定 StdPbc-E03501 ガス相水分レベルは表面からの脱着によって支配されるので，この手順は，表面積の大きい部品，例えばパーティクルフィルタや管のような部品に最も役立つと予想される。湿潤表面積が非常に小さな部品は，その水分相互作用が小さすぎてこのテストでは測定できない場合がある。チェックバルブとリリーフバルブがテストできるのは，それらの操作パラメータがテスト条件と一致しているときだけである。

ガス相水分レベルは表面からの脱着によって支配されるので，この手順は，表面積の大きい部品，例えばパーティクルフィルタや管のような部品に最も役立つと予想される。湿潤表面積が非常に小さな部品は，その水分相互作用が小さすぎてこのテストでは測定できない場合がある。チェックバルブとリリーフバルブがテストできるのは，それらの操作パラメータがテスト条件と一致しているときだけである。

The following two test methods are described:

[Hereafter referred to as "instrument" or "instruments

5-0211 (Reapproved 0623) — Specification for Round 100 mm Polished Monocrystalline Indium Phosphide Wafers for Electronic and Optoelectronic Device Applications (V-Groove Option)

This Test Method covers the measurement of the resistivity of a silicon substrate of known orientation and type

P01400 - SEMI P14 - 黒鉛炉原子吸光分光法によるポジティブフォトレジスト中の錫の測定 StdPbc-E03501 ガス相水分レベルは表面からの脱着によって支配されるので，この手順は，表面積の大きい部品，例えばパーティクルフィルタや管のような部品に最も役立つと予想される。湿潤表面積が非常に小さな部品は，その水分相互作用が小さすぎてこのテストでは測定できない場合がある。チェックバルブとリリーフバルブがテストできるのは，それらの操作パラメータがテスト条件と一致しているときだけである。NOTICE: This translation is a REFERENCE COPY ONLY. If differences should exist between the English version and a translation in any other language, the English version is the official and authoritative version. SEMI SEMI NOTICE: This Standard or Safety Guideline has an Inactive Status because the conditions to maintain Current Status have not been met. Inactive Standards or Safety Guidelines are available from SEMI and continue to be valid for use. 1: