PV01300 - SEMI PV13 - 渦電流センサを用いたシリコンウェーハ，インゴット，およびブリックの過剰電荷キャリア再結合ライフタイムの非接触測定に関する試験方法 StdTpc-Package Specifications SEMI MF1391-1107 (Reapproved 1023)

SEMI MF1391-1107 (Reapproved 1023)

SEMI E97 — Provisional Specification for CIM Framework Global Declarations and Abstract Interfaces

particle filters

本文書はSEMI E54

本文書の目的は，赤外線吸収法によってSI GaAs内の深いドナーEL2の濃度を測定する方法を指定することである。

PV01300 - SEMI PV13 - 渦電流センサを用いたシリコンウェーハ，インゴット，およびブリックの過剰電荷キャリア再結合ライフタイムの非接触測定に関する試験方法 StdTpc-Package Specifications SEMI MF1391-1107 (Reapproved 1023)the Photovoltaic Materials Global Technical Committee201364global Audits and Reviews Subcommittee20138www. semiviews. org www. semi. org20112201111 QSSPC 0. 115,000 s 1 1013 cm 32 1016 cm 31 cm1 1013 cm 35 1015 cm 3 0. 1 cm10000 cm 242QSSPC Transient Mode for Wafers 1 mm QSSPCQSSPC Mode for Wafers 1 mmQSSPC Transient Mode for Bulk Material 1 cm QSSPCQSSPC Mode for Bulk Material 1 cm Referenced SEMI Standards SEMI M59 Terminology for Silicon Technology