M09200 - SEMI M92 - Specification for 4H-SIC Homoepitaxial Wafer StdTpc-Glass Wafer 本仕様は，半導体製造およびその関連技術の分野で用いられるフォトリソグラフィのための，焦点位置および焦点深度の測定に限定される。装置技術においてはいくつも異なるものがあるので，これらパラメータの決定的な測定方法を提供することはできない。むしろ，本文では基本的なガイドラインを示す。

本仕様は，半導体製造およびその関連技術の分野で用いられるフォトリソグラフィのための，焦点位置および焦点深度の測定に限定される。装置技術においてはいくつも異なるものがあるので，これらパラメータの決定的な測定方法を提供することはできない。むしろ，本文では基本的なガイドラインを示す。

temperature control

The marks must be readable by mask metrology and pattern write tools

SEMI D20-93 (first published)

本文書の目的は，半導体産業で使用されるテトラエトキシシランに対する要求条件を標準化し，またこれらのスタンダードをサポートする試験手順を標準化することである。試験方法は，統計的に有効な結果を示している。

M09200 - SEMI M92 - Specification for 4H-SIC Homoepitaxial Wafer StdTpc-Glass Wafer 本仕様は，半導体製造およびその関連技術の分野で用いられるフォトリソグラフィのための，焦点位置および焦点深度の測定に限定される。装置技術においてはいくつも異なるものがあるので，これらパラメータの決定的な測定方法を提供することはできない。むしろ，本文では基本的なガイドラインを示す。* This Standard has the option to purchase the Current document with a redline document (Current + Redline). The redline document is included with the Current document as a comparison tool to help identify changes that have been made between the Current version and the previous version (Superseded). If differences should exist between the redline document and the Current document, the Current version is the official and authoritative version. 1